碳化硅(SiC)，作為一種新型半導體材料，具有碳化硅的優(yōu)點：更小的體積、更有效率、完全去除開關損耗、低漏極電流、比標準半導體(純硅半導體)更高的開關頻率以及碳化硅標準的125℃結溫以上工作的能力。
 
碳化硅正向導通大電流和反向截止千伏電壓之間快速執(zhí)行開關動作，這樣的性能是值得一試的.SiC最初的成功應用和主要應用發(fā)二極管，用于汽車頭燈和儀表盤其他照明場合。其他的市場包括開關電源和肖特基勢壘二極管。將來會應用到包括混合動力車輛、功率轉換器(用于減小有源前置濾波器的體積)和交流/直流電機控制上。
 
這些更高要求的應用還沒有商業(yè)化，因為它們需要高質量的材料和大規(guī)模的生產力來降低成本。碳化硅全世界范圍內，大量的研究經費投入到了公司、實驗室和政府設施，以使SiC技術更加可行。一些專家預言，SiC技術的商業(yè)化、工業(yè)化甚至軍工應用將碳化硅2到5年或者更遠的時間內變成現實。